Транзистори для електронних компонентів. Тип Польові N-канальні. Корпус TO-3P

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 250µA | Ємність затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NEC
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 20 В
• 6 A
• 2,5 Ohm
• 150 W
• …+150°C

Примітка: Ємність затвора: 280 pf

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 185 pF / 25 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V