Транзисторы для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Корпус TO-3P

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NEC
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 20 В
• 6 A
• 2,5 Ohm
• 150 W
• …+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 280 pf

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 185 pF / 25 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V