- Популярні
- Час додавання
- Ціна
Транзистор IGBT SGT25U120FD1P7
Код: 627857
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 1200 V
- 50 А
- 278 W
- -55...+150°C
Примітка: Заряд затвора: 91 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2
230 грн.
Спец. ціна 202 грн.В наявності
Код: 627638
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 100 А
- 235 W
- -55...+150°C
Примітка: Заряд затвора: 148 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 45ns | Час...
105 грн.
Спец. ціна 92 грн.В наявності
Код: 627578
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 600 V
- 80 А
- 380 W
- -55...+150°C
Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 88ns | Час...
103 грн.
Спец. ціна 90 грн.В наявності
Транзистор IGBT SGT20T60SDM1P7
Код: 627791
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 600 V
- 40 А
- 46 W
- -55...+150°C
Примітка: Заряд затвора: 52 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 55ns | Час виключення:...
158 грн.
Спец. ціна 138 грн.В наявності
Транзистор IGBT SGT75T65SDM1P7
Код: 627676
- IGBT
- Silan Microelectronics
- THT
- TO-247
- 650 V
- 75 А
- 416 W
- -55...+150°C
Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 42ns
256 грн.
Спец. ціна 224 грн.В наявності