Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 53

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• Fair
• THT
• TO-251
• 100 V
• 8 А
• 1,75 W
• 100

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• 68
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 1.4

• Інше
• MIT

• Інше
• TI
• SMD
• SO14-150
• -40...+85°C

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-23
• 30 V
• 0,5 А
• 0,36 W
• 4000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 3 А
• 350
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 27 А
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 80 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 11ns | Час виключення: 72ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 56 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 13.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 12ns | Час...

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 600
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 20 V
• 0,5 А
• 200

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Fair
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 200
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.28 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 300 V
• 0,5 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні PNP
• ONS-FAIR
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1,5 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Інше
• MIT

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.13 | Напруга колектор-база, В: 60