Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 51

• Датчик прискорення

Примітка: Бренд: BOSCHSEN | Тип корпусу: LGA-14 | Вісь виміру: XYZ | Прискорення: 2g, 4g, 8g, 16g | Робоча напруга , Вольт: 1.2-3.6

• Датчик тиску

Примітка: Бренд: BOSCH

• Індуктивний

Примітка: Бренд: AUTONICS | Діаметр, мм: Прямокутний | Структура: NPN | Конфігурація контактів: NO | Дистанція детектування, мм: 15 | Тип напруги: DC...

• Індуктивний

Примітка: Бренд: AUTONICS | Діаметр, мм: М30 | Конфігурація контактів: NO | Дистанція детектування, мм: 10 | Тип напруги: AC | Напруга живлення –...

• Інші датчики

Примітка: Бренд: AUTONICS

• Датчик струму

Примітка: Бренд: ALLEGRO | Тип корпусу: SO-8 | Вимірюваний струм , А: 30 | Тип датчика: Холла

• Датчик температури

Примітка: Бренд: AD | Тип корпусу: TO-92 | Діапазон вимірюваних температур: -25...+105

• Супершвидкі

• 50
• 800
• Ween
• 500
• 100
• 12
• 50
• 35
• 1.6
• 15
• 100

• 0.4 W
• 60 В
• 20 В
• Fairchild
• TO-92
• SMD
• Інше

• Шотткі

Примітка: Виробник: JSCJ | Корпус: SOT-23 Поворотна напруга, Vrrm: 40 V | Прямий струм (per leg), If: 0,2A | Падіння напруги, Vf: 0,38 V |...

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: SUNMATE | Корпус: SMB (DO-214AA | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробою, Vbr: 19,2 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 15 V |...

• Випрямні та імпульсні

Примітка: Виробник: Jingdao | Корпус: SOD-123 Uзр., V: 75 V | Iвипр., A: 0,15 A | Опис: імпульсне | Монтаж: SMD Падіння напруги Vf: 1 V

• 50
• 500
• Luguang Electronic
• 130
• 50
• 12
• 40
• 20
• 1.4
• BT151xx
• 7.5
• 12

• IGBT
• Не вказано

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.35 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 36ns | Час...

• Інше
• Не вказано
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.19 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 390 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 331 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 286 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 176 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 298 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 60 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 6ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 18ns | Час...