Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 47

• Датчик положення

Примітка: Бренд: AUTONICS

• Інші датчики

Примітка: Бренд: AUTONICS

• Датчик струму

Примітка: Бренд: ALLEGRO | Тип корпусу: SO-8 | Вимірюваний струм , А: 30 | Тип датчика: Холла

• Датчик струму

Примітка: Бренд: ALLEGRO | Тип корпусу: CB-5 | Вимірюваний струм , А: 50 | Тип датчика: Холла

• Датчик положення

Примітка: Бренд: ALLEGRO | Тип виходу: Analog | Напруга живлення – макс.: 5.5 | Напруга живлення – мін.: 4.5 | Особливості: Linear | Тип корпусу:...

• 50
• 800
• Ween
• 500
• 100
• 12
• 50
• 35
• 1.6
• 15
• 100

• Шотткі

Примітка: Виробник: JSCJ | Корпус: SOT-23 Поворотна напруга, Vrrm: 40 V | Прямий струм (per leg), If: 0,2A | Падіння напруги, Vf: 0,38 V |...

• Випрямні та імпульсні

Примітка: Виробник: Jingdao | Корпус: SOD-123 Uзр., V: 75 V | Iвипр., A: 0,15 A | Опис: імпульсне | Монтаж: SMD Падіння напруги Vf: 1 V

• 50
• 500
• Luguang Electronic
• 130
• 50
• 12
• 40
• 20
• 1.4
• BT151xx
• 7.5
• 12

• 5.1
• 800
• ST Microelectronics
• 40
• 50
• 4
• 25
• 15
• 1.56
• 10
• 30

• Обмежувальні

• Обмежувальні

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 19ns | Час...

• Інше
• Не вказано
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.19 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 15.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 12ns | Час виключення: 86ns

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 298 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 60 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 6ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 12 А
• 88 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 42 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 9ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 7ns | Час виключення:...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3P(N)
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 81.5 nC

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 18ns | Час...

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,2 А
• 180

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 10 А
• 20
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 70