Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 45

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 153 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час виключення: 125ns

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 2 А
• 450
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.1 | Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 203 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 48ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• 320
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• …+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 535 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 42ns | Час...

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT-23
• 60 V
• 0,5 А
• 0,25 W
• 2000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 29 nC | Напруга затвор - емітер, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 650ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 20 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 16ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 27
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,15 А
• 700
• …+125°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 226 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 52ns | Час...

• Біполярні NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT89
• 80 V
• 1 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Інше
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 60
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 65 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40