Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 3

• Біполярні PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• TI
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• INFIN
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 20 В
• 68,5 A
• 0,041 Ohm
• 500 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 3.3mA | Ємність затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

• INFIN
• SO8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 16 A
• 6,6 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 50µA | Ємність затвора: 2820 pF / 15 V | Заряд затвора: 92 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• INFIN
• I-Pak
• THT
• Польові N-канальні
• 60 V
• 16 В
• 50 A
• 6,8 mOhm
• 143 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 100µA | Ємність затвора: 3779 pF / 50 V | Заряд затвора: 49 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 23 A
• 3 mOhm
• 2.7 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.2V / 250µA | Ємність затвора: 4300 pF / 20 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Jcst
• 0.05 A
• 30 V
• 15 V
• SOT-23
• Біполярні NPN

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• є
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 173

• Diotec Semiconductor
• MBS
• Однофазний
• SMD

Примітка: Середній випрямлений струм (If(av)), А: 0.8 | Пікова зворотна напруга, що повторюється (Urrm), В: 800 | Габаритні розміри (LxWxH), мм:...

• Шотткі

Примітка: Виробник: Toshiba | Корпус: SMA (DO-214AC) Зворотна напруга, Vrrm: 60 V | Прямий струм (per leg), If: 2 A | Падіння напруги Vf: 0,55 V |...

• Супершвидкі

Примітка: Пікова зворотня напруга (Urrm): 100 | Максимальний середній струм діода (If(av)), А: 2 | Час відновлення (trr), нс: 25 | Пряме падіння...

• IGBT

Примітка: Виробник: NXP | Корпус: SOD-323 | Uзвор., V: 100 V | Iвипр., A: 0,25 A | Монтаж: SMD | Падіння напруги Vf: 1,25 V

Примітка: Uзвор., V: 30 V | Опис: Добротність: >200 f=50МГц Uзвор=25В. Зворотний струм: 0,5мкA. Загальна ємність: 5,15±0,85пФ.

• Біполярні NPN
• Nxp
• SOT-223
• 50 MHz
• 300 V
• 300 V
• 0.1 A
• 125

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 30 V
• THT
• 140 A

• ВЧ
• Nxp
• SOT-223
• 6 GHz
• 12 V
• 15 V

• Біполярні PNP
• On
• SOT-23
• 25 V
• 30 V
• 0.5 A
• 100

• Біполярні NPN
• NEC
• SOT-23
• 250 MHz
• 50 V
• 60 V
• 0.1 A
• 400
• SMD

• Польові N-канальні
• Infineon
• TO-247
• 650 V
• THT
• 24.3 A
• 3000

• Біполярні NPN
• Philips
• SOT-23
• 100 MHz
• 30 V
• 25 V
• 0.5 A
• 400
• SMD

• Супершвидкі

Примітка: Виробник: IR/Корпус: TO-220AC | Vrr, V: 1200 V | Iav, A: 8.0 А | Час зворотного відновлення Trr, ns: 95ns | Монтаж: THT

• Супершвидкі

Примітка: Виробник: ON/Корпус: TO-220AC | Vrr, V: 400 V | Iav, A: 8.0 А | Час зворотного відновлення Trr, ns: 70 ns | Монтаж: THT