Пасивні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 79

• Hitano
• D<=6.5 мм.
• 220 pF
• 1k V
• Y5P
• Керамічні похідні
• ±10% K

• JEC
• 3 uF
• 450 VAC
• 36.5 мм.
• Пускові
• ±5%

• 0.028 Om
• Nichicon
• 40 мм.
• 18 мм.
• 2200 uF
• 63 V
• UPW
• 8000 годин
• -55...+105°C
• Електролітичні вивідні
• ±20%
• 7.5 мм.

• 0.125 Вт
• Viking
• 0.1 %
• 50 kOhm
• -55..+155°C
• SMD
• 0805

• JEC
• Поліпропілен
• 2.2 µF
• 400 VDC
• Плівкові
• ±5% J

• JEC
• Поліпропілен
• 10 nF
• 400 VDC
• Плівкові
• ±5% J

• 25 Вт
• ARCOL
• 14.6 мм.
• 27.3х28х14.6 мм.
• 27.3 мм.
• 5 %
• 25
• 550 V
• 2х2.1 мм.
• 3.9 ком
• -55..+200°C
• 100 ppm/°
• Під пайку
• Вивідні
• 28.4 мм.

• Samsung
• 1.6 мм.
• X7R
• 3.2 мм.
• 4.7 uF
• 25 V
• -55...+125°C
• Керамічні SMD
• 1206
• ±10%

• Yageo
• 0,1 W
• 75 V
• 100 ком
• SMD
• 0603
• ±1%

• Panasonic
• 0,1 W
• 75 V
• 10 Ohm
• SMD
• 0603
• ±1%

• 5.5х16 мм.
• Циліндричний
• Металоксідний
• 3 W
• 150 ком
• Дротяні
• Вивідні

Примітка: Тип оптопари Phototransistor | Кількість каналів (Nch) 2 | Максимальний прямий струм випромінювача (If(in)), МА 50 | Максимальна пряма...

• 0.6 Om
• AVX
• 4.1 мм.
• 7.3х4.3х4.1
• 4.3 мм.
• 7.3 мм.
• 15 uF
• 50 V
• TAJ
• -55...+125°C
• Танталові SMD
• E
• ±10%

• Chongx
• 6x11 мм.
• 220 µF
• 25 V
• ...+105°C
• Електролітичні вивідні

Примітка: Потужність (P), ВА 3 | Напруга вторинної обмотки, канал 1 (Uвтор1), 18 В | Максимальний струм вторинної обмотки, канал 1 (Iвтор1), А 0.083...

• Viking
• SMD
• 1206
• 22 kOhm
• 0,25 W
• 150 V
• ±0.1%

• KLS
• 50 kOhm
• Моно

• FNR
• 7D
• 140/180 V
• 600
• 360
• 250 pF
• 0,25 Вт

Примітка: Енергія поглинутого імпульсу (Wmax), J 41

• Epcos
• 9D
• 35/45 V
• 250
• 1050 pF
• 0,02 Вт

Примітка: Енергія поглинутого імпульсу (Wmax), J: 2.5

• KLS

• Royal
• 124 ком
• SMD
• -55..+155°C
• 1 %

• Royal
• 0.125 Вт
• 10 ком
• SMD
• 0805
• -55..+155°C
• 1 %

• Royal
• 0.25 Вт
• 10 Ом
• 5 %
• Вивідні