Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип IGBT. Страница 8

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 28А

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 48ns | Время выключения: 200ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 210 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 45ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 115 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 350 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 125 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 85ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 417 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 250 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 85ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 140 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 625 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 30ns | Время выключения: 265ns

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 455 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 123 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 28ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 140 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 470 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 31ns |...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 578 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.69 | Время включения: 32ns |...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 180 А
• 166 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208,3 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 54ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 138 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3PFM
• 600 V
• 60 А
• …+150°C

Примечание: Время включения: 45ns | Время выключения: 70ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 74 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 53ns | Время выключения: 90ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 69 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 270 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 203 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 48ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Время включения: 42ns | Время выключения: 432ns

• IGBT
• Apec
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 60 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.7 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 128 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 73ns | ...