Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип Полевые N-канальные. Страница 84

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 180 A
• 2,4 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 2554 pF / 40 V | Заряд затвора: 217 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 207 A
• 3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• Apec
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 370 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2750 pF / 25 V | Заряд затвора: 53 nC / 10 V

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 20 A
• 30 mOhm
• 2.5 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 20 V | Заряд затвора: 10.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 20 A
• 5,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 4630 pF / 10 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 2 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2895 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 6,2 A
• 9,9 A
• 630 В
• 82 W
• 20 В
• 19 A
• 20,5

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 42 A
• 58 A
• 100 В
• 94 W
• 20 В
• 232 A
• 26

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 10 A
• 16 A
• 600 В
• 30 W
• 30 В
• 64 A
• 44

• A&O
• Полевые N-канальные
• 36 A
• 46 A
• 30 В
• 50 W
• 20 В
• 163 A
• 18

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 136 A
• 192 A
• 100 В
• 441 W
• 20 В
• 690 A
• 170

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 6 A
• 1000 В
• 65 W
• 30 В
• 24 A
• 40

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 36 A
• 600 В
• 277 W
• 30 В
• 100 A
• 46

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 10,8 A
• 18 A
• 500 В
• 38,5 W
• 30 В
• 72 A
• 45

• Ixys
• Полевые N-канальные
• 24 A
• 500 В
• 480 W
• 30 В
• 50 A
• 48

• Ixys
• Полевые N-канальные
• 22 A
• 500 В
• 350 W
• 30 В
• 66 A
• 50

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 8 A
• 13 A
• 500 В
• 48 W
• 4 В
• 52 A

• Cygwayon
• Полевые N-канальные
• 7 A
• 800 В
• 29 W
• 30В

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 9,05 A
• 12,8 A
• 100 В
• 65 W
• 25 В
• 51,2 A
• 12

• A&O
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 20 A
• 600 В
• 417 W
• 30 В
• 80 A

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 14,5 A
• 30 В
• 2,5 W
• 20 В
• 50 A
• 45

• Cygwayon
• Полевые N-канальные
• 20 A
• 650 В
• 147 W
• 30В

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 7 A
• 11 A
• 650 В
• 20 В
• 33 A
• 45

• BRIDGELUX
• Полевые N-канальные
• 7,7 A
• 12 A
• 650 В
• 51 W
• 30 В
• 48 A
• 39