Электронные компоненты для электронных компонентов. Наличие диода есть

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 2,2 V
• 321 Вт
• 179
• 180 А
• есть
• 193 нс
• 36 нс
• 38 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,48 V
• 254 Вт
• 165
• 45 А
• есть
• 300 нс
• 45 А
• 370 нс

• Magnachip
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 60 A
• 1,85 V
• 428 Вт
• 95
• есть
• 142 нс
• 200 А
• 42 нс
• 110 н

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 15 A
• 8 A
• 2,75 V
• 65 Вт
• 19
• 30 А
• есть
• 72 нс
• 20 А
• 17 нс
• 23,5 н

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 14 A
• 8,5 A
• 1,65 V
• 33,3 Вт
• 38
• 45 А
• есть
• 160 нс
• 45 А
• 17 нс
• 48 н

• Xiner
• IGBT
• 600 V
• 20 A
• 1,7 V
• 20 А
• есть

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 483 Вт
• 1.85 V
• есть
• 180 А
• 180 А
• 152 нс
• 66 нс
• 57 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 117

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• есть
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1250 V
• 60 A
• 30 A
• 375 Вт
• 2.65 V
• 120 А
• есть
• 132 нс
• 128 нс

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 114

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• A&O
• TO-220FP
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 45 Вт
• 1.7 V
• 60 А
• есть
• 60 А
• 122 нс
• 26 нс
• 322 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 46

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 2 V
• 170 Вт
• есть
• 30 нс
• 90 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 22 A
• 2,05 V
• 220 Вт
• 68
• 80 А
• есть
• 115 нс
• 42 А
• 20 нс
• 42 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,1 V
• 268 Вт
• 72,2
• 120 А
• есть
• 65,6 нс
• 120 А
• 19,2 нс
• 31,8 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 2,3 V
• 176 Вт
• 37,4
• 90 А
• есть
• 42,4 нс
• 6 А
• 12 нс
• 26 н

• Magnachip
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 1,65 V
• 375 Вт
• 287
• есть
• 328 нс
• 58 нс

• Trinnotech
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 2,3 V
• 236 Вт
• 115
• 120 А
• есть
• 85 нс
• 40 нс
• 60 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 2,4 V
• 186 Вт
• 120
• 45 А
• есть
• 160 нс
• 45 А
• 15 нс
• 330 н

• Ixys
• IGBT
• 1200 V
• 164 A
• 82 A
• 3,2 V
• 1040 Вт
• 215
• 320 А
• есть
• 192 нс
• 29 нс
• 420 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 96 A
• 48 A
• 1,65 V
• 330 Вт
• 95
• 144 А
• есть
• 145 нс
• 175 А

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 12 A
• 6 A
• 1,65 V
• 100 Вт
• 48
• 18 А
• есть
• 127 нс
• SMD
• 18 А
• 12 нс
• 68 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,5 V
• 349 Вт
• 119
• 120 А
• есть
• 92 нс
• 120 А
• 12 нс
• 42 н