Электронные компоненты для электронных компонентов. Ubrdss 30 В. Страница 2

• A&O
• DFN5X6
• Другое
• 30 В
• 260 A
• 20 В
• 50 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 130 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 83 |...

• Wayon
• Другое
• 30 В
• 68 A
• 20 В
• 2.4 W
• SMD
• 6.3 нс
• 18 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 17 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 11 | Полный...

• Vishay
• TSOP-6
• Другое
• 30 В
• 30 A
• 20 В
• 3 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 8 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 6.4 | Полный...

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Другое
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 6.3 | Полный заряд затвора, нКл: 9 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Vishay
• SO-8
• Другое
• 30 В
• 50 A
• 20 В
• 5 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 14 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 11.2 | Полный...

• On Semiconductor
• SOT-23
• Другое
• 30 В
• 10 A
• 8 В
• 0.5 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 2.2 | Полный заряд затвора, нКл: 7 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• On Semiconductor
• Super SOT-6
• Другое
• 30 В
• 10 A
• 20 В
• 0.98 W
• THT

Примечание: Тип канала и конфигурация: 2N | Напряжение пробоя сток-исток 2 канал (Ubrdss2), В: 30 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток 2...

• Ubiq
• DFN5X6
• Другое
• 30 В
• 180 A
• 20 В
• 70 W
• SMD
• 7 нс
• 35 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 97 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id), А: 61 | Полный заряд...

• On Semiconductor
• D-Pak (TO-252)
• Другое
• 30 В
• 100 A
• 25 В
• 52 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 40 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 11 |...

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 2,7 A
• 3,16 A
• 30 В
• 0,75 W
• 20 В
• 3

• Diodes Incorporated
• Полевые N-канальные
• 4,9 A
• 6,2 A
• 30 В
• 0,9 W
• 20 В
• 44 A
• 18,4

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 1,7 A
• 30 В
• 0,5 W
• 20 В
• 10 A
• 5

• NEC
• Полевые N-канальные
• 3,8 A
• 7,6 A
• 30 В
• 0,51 W
• 20 В
• 24 A
• 7,2

• A&O
• Полевые N-канальные
• 15 A
• 25 A
• 30 В
• 15,5 W
• 20 В
• 50 A
• 18

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 9 A
• 30 В
• 1,25 W
• 20 В
• 18 A
• 4,8

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 5,8 A
• 30 В
• 2 W
• 20 В
• 12

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 13,6 A
• 30 В
• 2,5 W
• 20 В
• 9,3

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 1,8 A
• 2,3 A
• 30 В
• 0,5 W
• 20 В
• 9 A
• 1,5

• A&O
• Полевые P-канальные
• 18 A
• 29 A
• 30 В
• 25 W
• 25 В
• 80 A
• 18

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 3,5 A
• 30 В
• 1,8 W
• 20 В
• 12 A
• 4,1

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 59 A
• 30 В
• 57 W
• 20 В
• 9,7

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 30 В
• 1,6 W
• 20 В
• 15 A
• 12

• A&O
• Полевые N-канальные
• 10,4 A
• 13 A
• 30 В
• 3,1 W
• 12 В
• 40 A

• A&O
• Полевые N-канальные
• 36 A
• 46 A
• 30 В
• 50 W
• 20 В
• 163 A
• 18