Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип IGBT. Ic* 60 A

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1250 V
• 60 A
• 30 A
• 375 Вт
• 2.65 V
• 120 А
• есть
• 132 нс
• 128 нс

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 114

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• есть
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 110

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 2,3 V
• 176 Вт
• 37,4
• 90 А
• есть
• 42,4 нс
• 6 А
• 12 нс
• 26 н

• Jcst
• IGBT
• 650 V
• 60 A
• 30 A
• 1,75 V
• 234 Вт
• 120 А
• есть

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 2,15 V
• 258 Вт
• 163
• 120 А
• есть
• 189 нс
• 45 нс
• 53 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 2,28 V
• 300 Вт
• 169
• 120 А
• есть
• 210 нс
• 120 А
• 50 нс
• 300 н

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 60 A
• 30 A
• 1,65 V
• 330 Вт
• 235
• 90 А
• есть
• 90 А

• Infineon
• IGBT
• 650 V
• 60 A
• 39,1 A
• 1,35 V
• 188 Вт
• 180
• есть
• 245 нс
• 90 А
• 20 нс
• 80 н

• Infineon
• IGBT
• 1600 V
• 60 A
• 39 A
• 1,85 V
• 263 Вт
• 205
• 90 А
• есть
• 290 нс
• 90 А

• Trinnotech
• IGBT
• 1350 V
• 60 A
• 30 A
• 1,9 V
• 329 Вт
• 120 А
• есть

• On Semiconductor
• IGBT
• 1000 V
• 60 A
• 42 A
• 2,5 V
• 180 Вт
• 275
• 200 А
• есть
• 630 нс
• 140 нс
• 1200 н