Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Страница 61

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 400 V
• 12 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 153 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 25.6ns |...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 75 А
• 395 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 164 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.42 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 40 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 60 А
• 375 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 88 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 65ns | ...

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 1 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 1 А
• 160
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• …+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 75 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 294 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 109 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 64ns | Время выключения: 128ns

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-18
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 535 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 42ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1350 V
• 80 А
• 394 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 234 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время выключения: 250ns

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 3

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 1200 V
• 15 А
• 110 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 85 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 165 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 63 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 24ns | ...