Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Страница 57

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-264
• 350 V
• 15 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 350

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 62 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 129ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 66 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время выключения: 156ns

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 100 V
• 2 А
• 300
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.23 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 1000 V
• 50 А
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 0.25us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 0.3us | Время выключения: 0.4us

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 600 V
• 80А

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 16ns |...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 120 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 28А

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 278 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 48ns | Время выключения: 200ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 210 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 45ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 255 nC | Время включения: 46ns | Время выключения: 129ns

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 115 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 50 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 350 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 125 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 85ns |...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 417 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 250 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 85ns | ...

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 40 V
• 1 А
• -65…+200°C

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 60 V
• 1 А
• 40
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60