Электронные компоненты для электронных компонентов. Тип монтажа THT. Страница 12

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 149 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 37ns |...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -40…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -40…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,15 А
• 700
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 90 А
• 385 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 157 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 25ns | ...

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-200AB
• 80 V
• 10 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• Биполярные PNP
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Utc
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 160 V
• 1 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• VISH/IR
• HD1
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 1,7 A
• 200 mOhm
• 1.3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 310 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V | Ёмкость затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 0,127 Ohm
• 105 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 28 nC / 10 V

• Umw
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 10 A
• 0,9 Ohm
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1570 pF / 25 V | Заряд затвора: 45 nC / 10 V

• TOS
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,3 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 2200 pF / 25 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 214 A
• 3,2 mOhm
• 255 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 1mA | Ёмкость затвора: 9000 pF / 40 V | Заряд затвора: 130 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 10 A
• 750 mOhm
• 156 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1370 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 30 В
• 14 A
• 375 mOhm
• 190 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1100 pF / 100 V | Заряд затвора: 32 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 100 A
• 9 mOhm
• 176 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5955 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 10 V | Диапазон номинальных...