Операционные усилители для электронных компонентов. Страница 6

Примечание: Производитель: TI | Корпус: SOIC-8 | Vc, V: ±18 V | BW, MHz: 3 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 3 mV | Температурный диапазон: 0...+70°C |...

Примечание: Производитель: TI | Корпус: DIP-8 | Vc, V: 3...26 V | BW, MHz: 0,7 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 7 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,3 V/µs |...

Примечание: Производитель: TI | Корпус: DIP-8 | Vc, V: ±5…15 V | Температурный диапазон: -40…+85°C | Доп. параметры: Rail-to-Rail | Кол-во каналов: 2...

Примечание: Производитель: TI | Корпус: DIP-8 | Vc, V: ±18 V | BW, MHz: 3 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 6 mV | Скор. Нар., В/мкс: 13 V/µs |...

Примечание: Производитель: TI | Корпус: DIP-8 | Vc, V: ±17 V | BW, MHz: 10 MHz | Скор. Нар., В/мкс: 20 V/µs | Температурный диапазон: -40…+85°C |...

Примечание: Производитель: TI | Корпус: DIP | Vc, V: ±15 V | BW, MHz: 10 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 0,5 mV | Скор. Нар., В/мкс: 13 V/µs |...

Примечание: Производитель: ST | Корпус: SO-14 | Vc, V: 32 V | BW, MHz: 1,2 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 5 mV | Скор. Нар., В/мкс: 1 V/µs |...

Примечание: Производитель: ST | Корпус: DIP-8 | Vc, V: 3…32/±1,5…16 V | Vio, mV(напр. смещ): 2 mV | Температурный диапазон: -40…+125°C | Доп....

Примечание: Производитель: ON | Корпус: SOIC-8 | Vc, V: 5...18 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 7,5 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,5 V/µs |...

Примечание: Производитель: ON | Корпус: SOIC-8 | Vc, V: 3...32 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 7 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,6 V/µs |...

Примечание: Производитель: NS | Корпус: PDIP-8 | Vc, V: 5...18 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 7,5 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,5 V/µs |...

Примечание: Производитель: JRC | Корпус: DIP-8 | Vc, V: ±18 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 0,5 mV | Скор. Нар., В/мкс: 1 V/µs |...

Примечание: Производитель: AD | Корпус: SO-8 | Vc, V: 2,7...5,5 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. смещ): 1 mV | Температурный диапазон: -40…+125°C |...

• Microchip Technology

Примечание: Полоса пропускания: 1 МГц | Количество каналов: 4 | Монтаж: THT | Диапазон напряжения питания: 1,8...6 В DC | Корпус: DIP14 | Рабочая...

• TI

Примечание: Корпус: SOIC-16 | Тип выхода: Дифференциальный | Коэффициент усиления: 8,2 | Полоса пропускания при уровне −3 дБ: 334 кГц | Входное...

• Texas Instruments

Примечание: Корпус: SOT23-5

• Onsemi

Примечание: Корпус: SO8-150-1,27

• Texas Instruments

• ST

Примечание: Корпус: DIP-8 | Напряжение питания Vc, В: 3...32 В | Полоса пропускания BW, МГц: 0,7 МГц | Напряжение смещения Vio, мВ: 2 мВ | Скорость...

• JJCON

Примечание: Корпус: DIP-8 | Напряжение питания Vc, В: 3...32 В | Полоса пропускания BW, МГц: 0,7 МГц | Напряжение смещения Vio, мВ: 2 мВ | Скорость...

• Microchip Technology

Примечание: Полоса пропускаемых частот: 1 МГц | Количество каналов: 4 | Монтаж: SMT | Диапазон напряжения питания: 1,8...6 В DC | Корпус: SO14 |...

• Texas Instruments

Примечание: Количество каналов: 2 Channel | GBP — Коэффициент усиления на ширину полосы пропускания (fT): 4 МГц | SR — скорость нарастания выходного...

• HGSEMI

Примечание: Максимальный входной ток смещения: 10 пА | Диапазон синфазного входного напряжения: от +3,5 В до -5 В | Ток потребления: 2 мА |...

• Texas Instruments

Примечание: Тип микросхемы: операционный усилитель | Полоса передаваемых частот: 10МГц | Кол-во каналов: 2 | Монтаж: SMT | Диапазон напряжения...