Транзисторы для электронных компонентов. Hfe 300. Страница 2

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.29 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 2,5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.18 | Напряжение коллектор-база, В: 12

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 80 V
• 1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 90

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 120 V
• 100 V
• 7 V
• 2 A
• 2 Вт
• 175 МГц
• 300

Примечание: Маркировка на корпусе: FTZ653

• Diodes Incorporated
• Биполярные PNP
• 75 V
• 40 V
• 6 V
• 0.6 A
• 0.31 Вт
• 300 МГц
• 300

Примечание: Маркировка на корпусе: K1P

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,6 A
• 1,15 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• 200 МГц
• 300

• Dc Components
• Биполярные PNP
• 3 A
• 2 Вт
• 60 V
• 80 V
• 7 V
• 140 МГц
• 300

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 0,6 A
• 0,625 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• 200 МГц
• 300

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 0,6 A
• 0,625 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• 200 МГц
• 300

• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 1 A
• 0,5 Вт
• 100 V
• 120 V
• 7 V
• 150 МГц
• 300