Транзисторы для электронных компонентов. Ubrdss 30 В. Idm 10 A

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 1,5 A
• 2 A
• 30 В
• 0,73 W
• 20 В
• 10 A
• 7

• On Semiconductor
• SOT-23
• Другое
• 30 В
• 10 A
• 8 В
• 0.5 W
• SMD

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 2.2 | Полный заряд затвора, нКл: 7 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• On Semiconductor
• Super SOT-6
• Другое
• 30 В
• 10 A
• 20 В
• 0.98 W
• THT

Примечание: Тип канала и конфигурация: 2N | Напряжение пробоя сток-исток 2 канал (Ubrdss2), В: 30 | Максимально допустимое напряжение затвор-исток 2...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 1,7 A
• 30 В
• 0,5 W
• 20 В
• 10 A
• 5

• Diodes Incorporated
• Полевые N-канальные
• 0,68 A
• 0,94 A
• 30 В
• 0,45 W
• 8 В
• 10 A
• 1,6

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 0,9 A
• 30 В
• 0,5 W
• 20 В
• 10 A
• 3

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 1,3 A
• 30 В
• 0,5 W
• 25 В
• 10 A
• 1,4