Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• INFIN
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 2 A
• 140 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 230 pF / 25 V | Заряд затвора: 14 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 17 A
• 60 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 380 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• SOT-223
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 1,6 A
• 200 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 330 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Microchip
• Полевые N-канальные
• 0,16 A
• 400 В
• 1 W
• 20 В
• 0,65 A

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 2 A
• 40 В
• 1 W
• 12 В
• 4 A
• 1,1

• Nxp
• Полевые N-канальные
• 0,25 A
• 300 В
• 1 W
• 20В

• Nxp
• Полевые N-канальные
• 0,4 A
• 200 В
• 1 W
• 20В

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 1 A
• 100 В
• 1 W
• 20 В
• 4 A
• 3,4

• Microchip
• Полевые P-канальные
• 0,28 A
• 80 В
• 1 W
• 30 В
• 3A

• Microchip
• Полевые N-канальные
• 0,31 A
• 60 В
• 1 W
• 30 В
• 1 A