Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-92. Pd 25 1 W

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• ST
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 240 V
• 20 В
• 0,19 A
• 6 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 125 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,5V / 10V

• MCRCH
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 350 V
• 20 В
• 0,12 A
• 25 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 300 pF / 25 V

• MCRCH
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 240 V
• 20 В
• 0,19 A
• 10 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 125 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,5V / 10V