Транзисторы для электронных компонентов

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1mA | Ёмкость затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• International Rectifier
• DIP-4
• Полевые P-канальные
• 200 V
• 20 V
• -0.56 А
• -0.36 А
• -2 ... -4 V
• 1 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 4 A
• 71 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 100µA | Ёмкость затвора: 280 pF / 15 V | Заряд затвора: 5.9 nC / 10 V

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 6 В
• 3,9 A
• 93 mOhm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 1mA | Ёмкость затвора: 290 pF / 10 V | Заряд затвора: 4.6 nC / 4.5 V

• INFIN
• SOT89
• SMD
• Полевые P-канальные
• 250 V
• 20 В
• 190mA A
• 12 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 130µA | Ёмкость затвора: 104 pF / 25 V | Заряд затвора: 6.1 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Microchip
• Полевые P-канальные
• 0,28 A
• 80 В
• 1 W
• 30 В
• 3A