Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...

• 180 A
• Crmicro
• TO-220
• 160 A
• 29 нс
• 78 нс
• 100 В
• 20 В
• 720 A
• 250 W
• 0,0021 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 154 | Маркировка: CRST024N10N4Z

• 50 A
• Crmicro
• TO-220
• 28.5 A
• 35.7 нс
• 74.7 нс
• 200 В
• 30 В
• 200 A
• 250 W
• 0,042 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 49.4

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 54ns | ...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 300 V
• 30 В
• 70 A
• 42 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 8280 pF / 25 V | Заряд затвора: 136.2 / 10 V

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 135 V
• 20 В
• 160 A
• 3,5 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 892.7 pF / 68 V | Заряд затвора: 139.3 nC / 10 V