Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-92. Страница 2

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92
• 30 V
• 0,1 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Fair
• THT
• TO-92
• 30 V
• 1 А
• 0,625 W
• 30000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-92
• 100 V
• 0,8 А
• 5 W
• 10000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• TO-92
• 20 V
• 0,03 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• ST
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 240 V
• 20 В
• 0,19 A
• 6 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 125 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,5V / 10V

• SIL
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 240 V
• 20 В
• 0,19 A
• 6 Ohm
• 800 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 125 pF / 25 V

• ONS-FAIR
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 40 В
• 0,02 A
• 625 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 700mV / 1nA | Ёмкость затвора: 16 pF / 15 V

• ONS
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,4 A
• 2 Ohm
• 625 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 50 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 4,5V / 10V

• ONS
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 35 V
• 0,005 A
• 50 Ohm
• -65…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1 V / 1 µA

• Nxp
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 0,5 A
• …+150°C

• NCE
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 140 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Заряд затвора: 15.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• MCRCH
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 20 В
• 0,001 A
• 1000 Ohm
• 740 mW
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 10 pF / 25 V

• MCRCH
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 350 V
• 20 В
• 0,12 A
• 25 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 300 pF / 25 V

• MCRCH
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 240 V
• 20 В
• 0,19 A
• 10 Ohm
• 1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 125 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,5V / 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 450 V
• 20 В
• 0,045 A
• 150 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые P-канальные
• 240 V
• 40 В
• 0,2 A
• 9 Ohm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 1mA | Ёмкость затвора: 200 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3,5V / 10V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 18 A
• 10 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 3V / 5V

• DIODES
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 0,32 A
• 4 Ohm
• 700 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 1mA | Ёмкость затвора: 75 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 10V

• 0.8 А
• 75 V
• 40 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• 0.6 А
• 60 V
• 40 V
• Cj
• TO-92
• Биполярные PNP

• 0.6 А
• 160 V
• 150 V
• Jsmsemi
• TO-92
• Биполярные PNP

• 0.6 А
• 150 V
• 150 V
• Diotec
• TO-92
• Биполярные PNP

• 120
• 0.1 A
• 50 V
• 45 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN