Транзисторы для электронных компонентов. Страница 2

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 75 А
• 520 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 310 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 39ns | ...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 3,4 A
• 112 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1110 pF / 25 V | Заряд затвора: 37 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 198 A
• 1,4 mOhm
• 96 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 150µA | Ёмкость затвора: 6852 pF / 25 V | Заряд затвора: 212 nC / 10 V | Диапазон номинальных...