Транзисторы для электронных компонентов. Бренд Ir. Температурный диапазон -55...+150°C

• Ir
• TSOP-6
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 2,4 A
• 180 mOhm
• 1.7 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 170 pF / 25 V | Заряд затвора: 11 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• TO-220ISO
• THT
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 20 В
• 22 A
• 450 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 770 pF / 25 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V

• Ir
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 800 V
• 20 В
• 1,8 A
• 6,5 Ohm
• 54 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 530 pF / 25 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 6,3 A
• 29 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1680 pF / 25 V | Заряд затвора: 57 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 7 A
• 26 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1740 pF / 25 V | Заряд затвора: 31 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 3,4 A
• 112 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1110 pF / 25 V | Заряд затвора: 37 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 5,8 A
• 45 mOhm
• 2. W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1100 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 14 A
• 8,5 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 25µA | Ёмкость затвора: 1040 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 3,7 A
• 79 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1820 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6,9 A
• 26 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3180 pF / 25 V | Заряд затвора: 61 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• PQFN
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 13 A
• 8,6 mOhm
• 2.4 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 25µA | Ёмкость затвора: 1060pF / 15V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V

• Ir
• MICRO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 2,4 A
• 135 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 210pF / 25V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 198 A
• 1,4 mOhm
• 96 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.9V / 150µA | Ёмкость затвора: 6852 pF / 25 V | Заряд затвора: 212 nC / 10 V | Диапазон номинальных...