Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 67

• Супербыстрые

Примечание: Тип монтажа: SMD | Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 3 | Время...

• Супербыстрые

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 600 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 4 | Время восстановления (trr), нс:...

• Супербыстрые

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 6 | Время восстановления (trr),...

• THT
• 100
• 5 %
• 1 Вт
• 1N4729-1N4764
• 350 Ом

• Супербыстрые

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 100 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 0.075 | Время восстановления (trr),...

• THT
• 10
• 5 %
• 5 Вт
• 1N53xx

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 30 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 0.2 | Прямое падение напряжения...

• Ограничительные

Примечание: Полярность: однонаправленный | Напряжение пробоя (VBR), В: 180 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт: 600

• Ограничительные

Примечание: Полярность: двунаправленный | Напряжение пробоя (VBR), В: 33 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт: 400

• Ограничительные

Примечание: Напряжение фиксации(Uc), В: 38.9 | Полярность: uni | Рабочее напряжение (Uраб), В: 24 | Серия: 5KP | Максимальный импульсный ток диода...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 30 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 0.2 | Прямое падение напряжения...

• THT
• 2.7
• 5 %
• 0.5 Вт
• BZX55
• 85 Ом

• SMD
• 12
• 5 %
• 0.37 Вт
• WH
• BZT52-13
• 25 Ом

• Ограничительные

Примечание: Полярность: однонаправленный | Напряжение пробоя (VBR), В: 18 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт: 600

• Ограничительные

Примечание: Напряжение фиксации(Uc), В: 38.9 | Полярность: bi | Рабочее напряжение (Uраб), В: 24 | Серия: SMCJ | Максимальный импульсный ток диода...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 3,7 A
• 5,8 A
• 600 В
• 55 W
• 30 В
• 23 A
• 42

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,225 Вт
• 45 V
• 50 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..450

• Mcc
• Биполярные PNP
• 1,5 A
• 0,625 Вт
• 25 V
• 40 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..350

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 2,6 A
• 20 В
• 1,3 W
• 12 В
• 2,9

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 60 A
• 55 В
• 110 W
• 16 В
• 23

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 270 A
• 60 В
• 375 W
• 20 В
• 200

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 3,2 A
• 20 В
• 1,25 W
• 12 В
• 2,4

• On Semiconductor
• IGBT
• 650 V
• 80 A
• 40 A
• 2,1 V
• 268 Вт
• 72,2
• 120 А
• есть
• 65,6 нс
• 120 А
• 19,2 нс
• 31,8 н

• Infineon
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 140 МГц
• 20