Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 58

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 3,5 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1154 pF / 50 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 65 V
• 25 В
• 65 A
• 8,4 mOhm
• 98 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3139 pF / 32 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 220 A
• 2,9 mOhm
• 254 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 7830 pF / 30 V | Заряд затвора: 183 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 118 A
• 10,1 mOhm
• 227.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 309 pF / 30 V | Заряд затвора: 17.7 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 80 A
• 6,8 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2626 pF / 50 V | Заряд затвора: 66.8 nC / 50 V

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 30 A
• 24 mOhm
• 2,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1900 pF / 30 V | Заряд затвора: 34 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 2,6 A
• 115 mOhm
• 1.4 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 315 pF / 15 V | Заряд затвора: 7.2 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 5 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1305 pF / 15 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 32 A
• 3 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1835 pF / 15 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 21 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 15 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 23 A
• 24 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 1170 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN(5x6)
• SMD
• Другое
• 30 V
• 16 A
• 14 mOhm
• 30 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1995pF / 15V | Заряд затвора: 20nC / 10V

• 26 A
• 50 mA
• 600 V
• Luguang Electronic

• Шоттки

• Выпрямительные и импульсные

• 1 A
• 1 Вт
• 120 V
• 100 V
• 5 V
• Diodes Incorporated
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 420..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 150 МГц

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 1000 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А 3 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• 16
• SMD

• 0,225 W
• On Semiconductor
• Другое

• Шоттки

• 56.8
• 40 В
• 20 В
• Wayon
• Другое

• 15 A
• 75 mA
• 800 V
• Littelfuse