Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 301

• Infineon
• TO-220
• Другое
• 75 В
• 20В
• 330 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 170 | Полный заряд затвора, нКл: 180 | Сопротивление сток-исток при 10V...

• ST Microelectronics

Примечание: Корпус: TO-220AB | Максимальное повторяющееся импульсное обратное напряжение (Vrrm), В: 800: | Максимальный действующий ток (ITrms), А:...

• Infineon
• TO-247
• Другое
• 75 В
• 350 A
• 20 В
• 520 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Полный заряд затвора, нКл: 380 | Сопротивление сток-исток при 10V (Rdson), Ом: 0.0018

• Nexperia
• Биполярные NPN
• 100 V
• 80 V
• 5 V
• 1 A
• 1.8 Вт
• 155 МГц
• 100..250

• On Semiconductor
• D-Pak (TO-252)
• Другое
• 30 В
• 100 A
• 25 В
• 52 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 40 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 11 |...

• TO-220
• Другое
• 120 В
• 480 A
• 20 В
• 185 W
• 16 нс
• 45 нс

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 129 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 92 | Полный...

• 2120
• 1400
• Ixys
• 1000
• 150
• 80
• 79
• 125
• 100
• 1.32
• 50
• 650
• TO-247

• A&O
• TO-220FP
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 45 Вт
• 1.7 V
• 60 А
• есть
• 60 А
• 122 нс
• 26 нс
• 322 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 46

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 120 V
• 120 V
• 5 V
• 0.05 A
• 0.5 Вт
• 100 МГц
• 430..600

Примечание: Комплементарная пара: KSC1845

• 3000
• 4.0 A
• 80 V
• ST
• TO-126
• Биполярные NPN

• Ограничительные

Примечание: Напряжение пробоя (VBR), В 30 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт 600 | Полярность двунаправленный

• Ограничительные

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 600 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А 4 | Прямое падение напряжения (Uf), В...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 150 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А 10 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 60 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А 0.5 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Ограничительные

Примечание: Напряжение пробоя (VBR), В 6.8 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт 30 | Полярность uni | Максимальный импульсный ток диода...

• THT
• 3.9

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 100 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А 5 | Прямое падение напряжения (Uf), В...

• Высоковольтные

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 6000 | Количество диодов в корпусе и схема (N/Схема) 1

• THT
• 4.7

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 60 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А 1 | Прямое падение напряжения (Uf), В...

• Ограничительные

Примечание: Напряжение пробоя (VBR), В 17.8 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт 400 | Полярность bi | Максимальный импульсный ток диода...

• THT
• 120

• SMD
• 2.4