Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 283

• Другое
• ST
• THT
• DIP-16
• 80 V
• 1,75 А
• -20...+85°C

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,2 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,2 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,6 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 240 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 80ns |...

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• …+150°C

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-92
• 100 V
• 0,8 А
• 5 W
• 10000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 630
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 40 V
• 4 А
• 100
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-274AA
• 1200 V
• 80 А
• 595 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 340 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3.12 | Время включения: 76ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AD
• 600 V
• 140 А
• 454 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 150 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 50ns | ...

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 75 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 470 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 33ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 100 V
• 20 А
• 160 W
• 100

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 125us

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 2 А
• 50 W
• 1000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 50 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 155 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 50ns | ...

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 200 V
• 2 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 220

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1300 V
• 60 А
• 500 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9