Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 274

• Биполярные NPN
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 15 V
• 0,05 А
• 200
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 400 V
• 8 А
• 60
• -50…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1 А
• 475
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Другое
• AD
• SO-8
• 40 V
• 0,02 А
• 550

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 40

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 14.2ns...

• Биполярные PNP
• TOS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,15 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-3P
• 400 V
• 12 А
• 40
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Другое
• TI
• DIP-16
• 100 V
• 0,5 А

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 153 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 84 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 25.6ns |...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• Renesas
• SMD
• TO-252
• 360 V
• 30 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 23 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 20ns | Время выключения: 40ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 40 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• ВЧ
• INFIN

• Биполярные NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TOS
• SMD
• SOT23
• 20 V
• 0,3 А
• 1200
• …+125°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 60 А
• 375 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 280 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 50ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 30 А
• 47 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 88 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 65ns | ...

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 1 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 1 А
• 160
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 75 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.05 | Время включения: 21ns | ...