Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 271

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 223 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 19ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 20 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 143 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время выключения: 359ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 235 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 163 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 53ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 75ns | ...

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-3
• 120 V
• 50 А
• 1000
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 60 А
• 200 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Время включения: 75ns | Время выключения: 400ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 19ns | Время выключения: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.45 | Время включения: 11ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• Биполярные NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Другое
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 65 V
• 0,1 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Другое
• Cdil

• Биполярные NPN
• CS
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 20
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.75 | Напряжение коллектор-база, В: 450

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 153 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 125ns

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 625 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 125ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 600 V
• 160 А
• 833 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 772 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 46ns | ...

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-225
• 300 V
• 0,5 А
• 240
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 40 V
• 0,2 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 120 V
• 1 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 60