Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 267

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,2 А
• 400
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6.5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.08 | Напряжение коллектор-база, В: 45

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 90
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 210
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 288 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 170 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время выключения: 260ns

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 37 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.4 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 270 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 39 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 15ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 17ns | Время выключения: 194ns

• Биполярные PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 80 V
• 0,1 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 80 V
• 2,5 А
• 250
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 120 А
• 316 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 10 А
• 20
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 70

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• Другое
• ST

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 416 W
• -40…+150°C

Примечание: Заряд затвора: 260 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 80ns |...