Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 25

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 3 | Прямое падение напряжения...

• SMD
• 15
• 5 %
• 0.25 Вт
• Y4*
• BZX84
• 30 Ом

• Ограничительные

Примечание: Полярность: однонаправленный | Напряжение пробоя (VBR), В: 30 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт: 5000

• Ограничительные

Примечание: Напряжение фиксации(Uc), В: 82.4 | Полярность: uni | Рабочее напряжение (Uраб), В: 51 | Серия: 5KP | Максимальный импульсный ток диода...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 100 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 20 | Прямое падение напряжения...

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 40 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 2 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• SMD
• 12
• 5 %
• 0.5 Вт
• H2
• mSZ52xxxT1G
• 30 Ом

• Ограничительные

Примечание: Полярность: однонаправленный | Напряжение пробоя (VBR), В: 18 | Максимальная импульсная мощность (PPPM), Вт: 600

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 2,6 A
• 20 В
• 1,3 W
• 12 В
• 2,9

• A&O
• Полевые P-канальные
• 12 A
• 12 A
• 40 В
• 50 W
• 20 В
• 30 A
• 13,8

• Diotec
• Биполярные PNP
• 0,1 A
• 0,5 Вт
• 30 V
• 30 V
• 5 V
• 150 МГц
• 150

• Diodes Incorporated
• Биполярные PNP
• 5 A
• 3 Вт
• 60 V
• 100 V
• 6 V
• 120 МГц
• 10..300

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 8 A
• 80 Вт
• 400 V
• 700 V
• 9 V
• 4 МГц
• 18..40

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 3 A
• 60 В
• 1,6 W
• 20 В
• 20 A

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,48 V
• 254 Вт
• 165
• 45 А
• есть
• 300 нс
• 45 А
• 370 нс

• Galaxy
• Биполярные NPN
• 0,15 A
• 0,4 Вт
• 50 V
• 60 V
• 5 V
• 80 МГц
• 70..700

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 7 A
• 11 A
• 600 В
• 110 W
• 25 В
• 44 A
• 17

• A&O
• Полевые P-канальные
• 2 A
• 2,6 A
• 30 В
• 1,4 W
• 20 В
• 20 A
• 5,2

• A&O
• Полевые N-канальные
• 28 A
• 40 A
• 30 В
• 25 W
• 20 В
• 100 A
• 20

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 0,19 A
• 0,3 A
• 60 В
• 0,35 W
• 20 В
• 0,4

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,5 A
• 0,625 Вт
• 80 V
• 80 V
• 4 V
• 100 МГц
• 100

• Toshiba
• Биполярные NPN
• 10 A
• 100 Вт
• 140 V
• 140 V
• 5 V
• 30 МГц
• 55..160

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 67 A
• 48 A
• 1,6 V
• 246 Вт
• 177
• 120 А
• есть
• 222 нс
• 120 А
• 18 нс
• 144 н

• A&O
• Полевые P-канальные
• 2,4 A
• 3 A
• 20 В
• 1,4 W
• 8 В
• 15 A