Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 244

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 2 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ZTX
• SMD
• SOT23
• 450 V
• 0,15 А
• 50
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.09 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• RFT
• THT
• TO-220
• 45 V
• 3 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 55

• Другое
• MIT
• THT
• 5 А

• Другое
• MIT
• TO-220

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-200AB
• 80 V
• 10 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-3
• 450 V
• 30 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Nxp
• THT
• TO-220F
• 450 V
• 8 А
• 35
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Nxp
• THT
• TO-220F
• 450 V
• 5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• ISOWATT218
• 700 V
• 6 А
• 12
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 80 V
• 1 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 90

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1 А
• 2000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Напряжение коллектор-база, В: 90

• ВЧ
• Nxp

• ВЧ
• Nxp

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 15 V
• 0,12 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• ВЧ
• INFIN

• ВЧ
• INFIN

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT343R
• 4,5 V
• 0,17 А
• 130
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 15

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT143
• 10 V
• -65…+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 0.05 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT143
• 15 V
• 0,12 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 250 V
• 0,05 А
• 50
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,05 А
• 50
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 300