Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 226

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-HSIP247-3-2
• 650 V
• 79 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 17ns | Время выключения: 124ns

• IGBT
• Mcc
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Время включения: 12ns | Время выключения: 124ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 83 А
• 210 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 159 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.29 | Время включения: 17ns |...

• Биполярные PNP
• ZTX
• THT
• TO-92-3
• 140 V
• 0,5 А
• 250
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 18ns | ...

• Биполярные NPN
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.21 | Напряжение коллектор-база, В: 32

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 12.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 60 А
• 480 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 225 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.3 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 40 А
• 208 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 65 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 13ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 238 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 54.7 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 14.4ns...

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• IPAK-3
• 80 V
• 8 А
• 60
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT143
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 3 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.18 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 120 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 79 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 20.8ns |...

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 223 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.95 | Время включения: 19ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 20 А
• 330 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 143 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время выключения: 359ns

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.65 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1200 V
• 100 А
• 652 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 235 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 34ns |...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 240 А
• 882 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 163 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 53ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 75ns | ...

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 180 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 40ns | ...