Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 202

• Полевые N-канальные
• Infineon
• TO-247
• 650 V
• THT
• 24.3 A
• 3000

• Ограничительные

Примечание: Производитель: YJ. Корпус: DO-15 | Пиковая мощность: 600 W | Напряжение пробоя, Vbr: 350 V | Постоянное обратное напряжение, Vrm: 300 V |...

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220FP
• 400 V
• 4.7 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• D-Pak (TO-252)
• 200 V
• SMD
• 24 A
• 1710

• Yj
• SOD-80
• SMD
• 3.9
• 5 mA
• 0,4 W
• -2.5 mV/K

• Yj
• SOD-80
• SMD
• 51
• 2 mA
• 0,4 W
• 46.9 mV/K

• Полевые P-канальные
• Ir
• SO-8
• 30 V
• SMD
• 4.9 A
• 710

• Полевые N-канальные
• Infineon
• D2PAK (TO-263)
• 800 V
• SMD
• 11.0 А
• 2300

• Биполярные NPN
• TO-126
• 1.0 MHz
• 160 V
• 180 V
• 1.5 A
• 200
• THT

• Датчик положения

Примечание: Емкостной датчик прикосновения, число кнопок 1. Производитель: Atmel | Корпус: SOT-23-6 | Выход/интерфейс: 2-Wire | Температура, °C:...

• Биполярные PNP
• Toshiba
• TO-92L
• 35 MHz
• 400 V
• 400 V
• 0.5 A
• 450

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 1200 V
• 2.43 V
• 41 A
• 21 A
• 160 W

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-247AC
• 100 V
• THT
• 195 A

• Полевые N-канальные
• Apec
• TO-252-4L
• 40 V
• SMD

• Биполярные PNP
• On
• TO-92L
• 100 MHz
• 50 V
• 50 V
• 2.0 А
• 240

• Биполярные NPN
• Iscsemi
• TO-220
• 30 MHz
• 150 V
• 150 V
• 8.0 А
• 30
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• SOT-223
• 60 V
• SMD
• 2.7 A
• 400

• Yj
• MBS
• 800 V
• 0,5 A
• Однофазный
• 35 A
• SMD

Примечание: Может заменить: MB2S, MB4S, MB6S

• Vishay
• DO-35
• THT
• 30
• 5 mA
• 0,4 W
• 27.0 mV/K

• Биполярные NPN
• Toshiba
• TO-3P
• 30 MHz
• 140 V
• 140 V
• 10.0 А
• 160
• THT

• Биполярные NPN
• TO-3
• 7 MHz
• 700 V
• 1500 V
• 8.0 А
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• D2PAK (TO-263)
• 55 V
• SMD
• 110 A
• 3247

• Ограничительные

Примечание: Производитель: GS. Корпус: SMB (DO-214AA) | Пиковая мощность: 600 W | Напряжение пробоя, Vbr: 25,7 V | Постоянное обратное напряжение,...

• Полевые N-канальные
• Ir
• SO-8
• 30 V
• SMD
• 4.7(3.5) A
• 520