Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 15

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 30 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 0.2 | Прямое падение напряжения...

• SMD
• 3.3
• 5 %
• 0.5 Вт
• W3
• BZT52
• 95 Ом

• THT
• 2.7
• 5 %
• 0.5 Вт
• BZX55
• 85 Ом

• SMD
• 12
• 5 %
• 0.37 Вт
• WH
• BZT52-13
• 25 Ом

• Hottech
• Биполярные PNP
• 1 A
• 1,3 Вт
• 80 V
• 100 V
• 5 V
• 50 МГц
• 25..260

• Luguang Electronic
• Биполярные PNP
• 8 A
• 1,5 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 100..12000

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 136 A
• 192 A
• 100 В
• 441 W
• 20 В
• 690 A
• 170

• Magnachip
• Полевые N-канальные
• 87 A
• 120 A
• 100 В
• 223 W
• 20 В
• 480 A
• 100

• Infineon
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 288 Вт
• 170
• 60 А
• есть
• 235 нс
• 60 А

• A&O
• Полевые P-канальные
• 31 A
• 40 A
• 40 В
• 62,5 W
• 20 В
• 115 A
• 55

• NEC
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 5 V
• 230 МГц
• 100

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 7 A
• 28 A
• 1,95 V
• 24 Вт
• 46
• есть
• 160 нс
• 28 А
• 30 нс
• 136 н

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,6 A
• 0,3 Вт
• 40 V
• 60 V
• 6 V
• 250 МГц
• 40..500

• Ncepower
• Полевые N-канальные
• 105 A
• 150 A
• 30 В
• 130 W
• 20 В
• 660 A
• 38

• Silanmicro
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 2,2 V
• 235 Вт
• 150 А
• есть

• Trinnotech
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,8 V
• 223 Вт
• 100 А
• есть

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: JIF | Корпус: TO-220AC | Vrr, V: 1200 V | Iav, A: 8 A | Время обратного обновления Trr, ns: 55 ns

Примечание: Производитель: YJ/Vishay | Корпус: SMB (DO-214AA) | Пиковая мощность: 600 W | Напряжение пробоя, Vbr: 14 V | Постоянное обратное...

• Датчик температуры

Примечание: Тип датчика: NTC дискретный | Диапазон измерения температуры (Trange), °C: -55..+125 | Номинальное сопротивление (Rt), Ом: 10000

• Датчик температуры

Примечание: Тип датчика: PTC дискретный | Диапазон измерения температуры (Trange), °C: -55..+ 150 | Номинальное сопротивление (Rt), Ом: 1980 |...

• IGBT
• China
• TO-247
• 600 V
• 2.3 V
• 80 A
• 40 A

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: Jingdao | Корпус: SMA/DO-214AC | Vrr, V: 1000 V | Iav, A: 1 A | Время обратного восстановления Trr, ns: 75 ns

• Биполярные NPN
• TO-220ISO
• 4 MHz
• 400 V
• 700 V
• 12 A

• Ограничительные

Примечание: Корпус: SMA (DO-214AC) | Пиковая мощность: 400 W | Напряжение пробоя, Vbr: 17 V