Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 120

• 160..400
• 0,07 A
• 0,16 Вт
• 13 V
• 4 V
• 1,2 V
• Infineon
• Биполярные NPN
• 44000 МГц

• 0.3 Вт
• On Semiconductor
• 5 %
• OW
• 18
• MM3ZxxT1G
• 45 Ом
• SMD

• Другое

• Dc Components
• Однофазный
• THT

• Shindengen
• Однофазный
• THT

• Ограничительные

• Ограничительные

Примечание: Корпус: SMB (DO-214AA) Пиковая мощность: 600 W | Напряжение пробоя, Vbr: 6,45 V | Постоянное обратное напряжение, VRM: 5,8 V | Ток...

• Шоттки

Примечание: Корпус: SMB (DO-214AA) Возвратное напряжение, Vrrm: 60 V | Прямой ток (per leg), If: 1 A | Падение напряжения, Vf: 0,57 V | Монтаж: SMD...

• Шоттки

Примечание: Возвратное напряжение, Vrrm: 200 V | Прямой ток (per leg), If: 10 A | Падение напряжения Vf: 0,8 V | Конструкция: два диода в одном...

• 12 A
• 104 W
• 1.65 V
• 600 V
• Vbsemi
• TO-220
• IGBT

• Индуктивный

Примечание: M12x50, NO Sn=4

• Полевые N-канальные

• Шоттки

Примечание: Корпус: SOT-23 Возвратное напряжение, Vrrm: 40 V | Прямой ток (per leg), If: 0,12 A | Падение напряжения, Vf: 0,38 V | Примечание:...

• Супербыстрые

Примечание: Корпус: SMC/DO-214AB Vrr, V: 600 V | Iav, A: 3 A | Время обратного обновления Trr, ns: 35 ns

• 50 MHz
• 10 A
• 80 V
• TO-263
• Биполярные NPN

• Супербыстрые

Примечание: Производитель: LGE | Корпус: SMA/DO-214AC Vrr, V: 600 V | Iav, A: 1 A | Время обратного обновления Trr, ns: 30 ns

• Ограничительные

Примечание: Корпус: SMB (DO-214AA) Пиковая мощность: 600 W | Напряжение пробоя, Vbr: 7,02 V | Постоянное обратное напряжение, Vrm: 6 V | Ток утечки,...

• Супербыстрые

• Ограничительные

• Шоттки

• Супербыстрые