Активные электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 115

• Alpha&Omega
• 8-DFN (5x6)
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 85 А
• 67 А
• 1.3 мОм
• 1.8 мОм
• 1.3 ... 2.4 V
• 1.9 V
• 83 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 V
• 110 А
• 75 А
• 2 ... 4 V
• 278 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 130 А
• 82 А
• 3 мОм
• 3.5 мОм
• 1.1 ... 2.1 V
• 1.5 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 120 V
• 20 V
• 100 А
• 63 А
• 5.5 мОм
• 7.5 мОм
• 1.2 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 130 А
• 82 А
• 3 мОм
• 3.5 мОм
• 1.1 ... 2.1 V
• 1.5 V
• 105 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 25 V
• 52 А
• 27 А
• 2.5 ... 4 V
• 3 V
• 125 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• AGM-Semi
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 V
• 100 А
• 63 А
• 6.2 мОм
• 8 мОм
• 1.2 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 128 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• On Semiconductor
• SOT23-5 Thin
• Биполярные NPN + PNP
• 50 V
• 100 V
• 3 А
• 6 V
• 380 MHz
• 1.2 Вт
• 200 - 560
• SMD

Примечание: Схема соединения: Общий эмиттер

• TO-252-4L
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 16 / -12 А
• 13.8 / -10 А
• 22 / 40 мОм
• 30 / 50 мОм
• 1 ... 3 V
• 11 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• TO-252-4L
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 18 / -14 А
• 15 / -12 А
• 17 / 28 мОм
• 23 / 44 мОм
• 1 ... 3 V
• 11 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• Shanghai Belling Co,Ltd.
• SOT23-6
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 V
• 6 / 6 А
• 16 / 16 мОм
• 0.5 ... 1.2 V
• 19 / 19 мОм
• 0.7 V
• 1.5 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
• TO-252-4L
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 12 / -8.8 А
• 8 / -5.8 А
• 26 / 47 мОм
• 39 / 76 мОм
• 1.7 ... 3 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• FM
• TSSOP8
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 V
• 6 / 6 А
• 5 / 5 А
• 22 / 22 мОм
• 0.5 ... 0.95 V
• 26 / 26 мОм
• 0.75 V
• 1.98 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• SO8
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 25 V
• -4.9 / -4.9 А
• 80 / 80 мОм
• -1 ... -2 V
• -1.5 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• SO8
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 V
• 5 / 5 А
• 42 / 42 мОм
• 1 ... 2 V
• 1.5 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 10 / -8.5 А
• 8.1 / -6.8 А
• 11 / 16 мОм
• 15 / 26 мОм
• 1 ... 3 V
• 2.1 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• ZETEX SEMICONDUCTORS
• SOT223-8
• Биполярные NPN + PNP
• 45 V
• 50 V
• 2 А
• 7 V
• 150 MHz
• 2.75 Вт
• 300 - 800
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Vishay Intertechnology, Inc.
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 7.5 / 7.5 А
• 6 / 6 А
• 17 мОм
• 24 / 24 мОм
• 0.8 ... 3 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• TECHPUBLIC
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 6.5 / -7 А
• 5.4 / -5.8 А
• min 1 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• Rohm
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 5 / -4.5 А
• 36 / 40 мОм
• 52 / 57 мОм
• 1 ... 2.5 V
• 2 W

Примечание: Схема соединения: Независимые

• On Semiconductor
• SO8
• Биполярные NPN + PNP
• 40 V
• 40 V
• 3 А
• 7 V
• 100 MHz
• 0.783 Вт
• min 200
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SOT23-6
• Биполярные NPN
• 45 V
• 50 V
• 0,5 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.6 Вт
• 160 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SOT1205
• Биполярные NPN
• 100 V
• 100 V
• 3 А
• 7 V
• 140 MHz
• 25 Вт
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые

• NXP Semiconductors
• SO8
• Биполярные NPN + PNP
• 60 V
• 60 V
• 6,7 А
• 5 V
• 110 MHz
• 2.3 Вт
• 75 - 500
• SMD

Примечание: Схема соединения: Независимые