Транзистор IGBT FGL60N100BNTD (G60N100BNTD)
Код: 532679
Особливості:
- On Semiconductor
- IGBT
- 1000 V
- 60 A
- 42 A
- 2,5 V
- 180 Вт
- 275
- 200 А
- є
- 630 нс
- 140 нс
- 1200 н
- На складі
986 грн.
Спец. ціна 898 грн.В наявності
Характеристики
| Бренд | On Semiconductor |
|---|---|
| Тип | IGBT |
| Vces | 1000 V |
| Ic* | 60 A |
| Ic 100 | 42 A |
| Uceo | 2,5 V |
| Pмакс | 180 Вт |
| Qg, nC | 275 |
| Icm | 200 А |
| Наявність діода | є |
| Час спаду (tof) | 630 нс |
| Час наростання (ton) | 140 нс |
| Час відновлення (trr) | 1200 н |
| Наявність на складі | Так |
- Гарантія
- Кожен товар гарантовано надійде до покупця точно в обговорений термін
- Доставка
- Доставка товару будь-яким із зручних Вам запропонованих способів
- Повернення товару
- Повернення товару здійснюється протягом 14 днів після покупки, відповідно до чинного закону
- Оплата при отриманні товару
- Оплата проводиться під час отримання товару, післяплатою
Схожі товари
Новинка Транзистор польовий P-канальний IRFU9310PBF
Код: 533247
67 грн.
Спец. ціна 58 грн.В наявності
Новинка Транзистор польовий N-канальний STP10NK80ZFP
Код: 533069
167 грн.
Спец. ціна 146 грн.В наявності
Новинка Транзистор польовий N-канальний IRFB52N15DPBF
Код: 532383
191 грн.
Спец. ціна 167 грн.В наявності
Новинка Транзистор польовий N-канальний TK100E08N1
Код: 533142
211 грн.
Спец. ціна 185 грн.В наявності
98 грн.
Спец. ціна 85 грн.В наявності
Питання та відгуки
Питань ще немає, але Ви можете бути першим
Відмічені поля * необхідно заповнити.