Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип Біполярні PNP. Сторінка 5

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 6 А
• 30
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 4 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.8 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92MOD
• 150 V
• 0,05 А
• 240
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.36 | Напруга колектор-база, В: 15

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.42 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.135 | Напруга колектор-база, В: 130

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 33
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SOT23
• 0,5 А
• …+150°C

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-225
• 60 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Central Semiconductor
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-220
• 70 V
• 7 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-3P
• 250 V
• 15 А
• 150
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 250

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• TOS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,15 А
• 400
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• …+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• TSOP6
• 40 V
• 4 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 1 А
• 32
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 400 V
• 1,5 А
• 32
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 80 V
• 1 А
• 150
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 80