Електронні компоненти для електронних компонентів. Pмакс 200 Вт

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 120 V
• 120 V
• 5 V
• 30 A
• 200 Вт
• 4 МГц
• 200..1000

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 53 A
• 38 A
• 200 Вт
• 1.6 V
• ні
• 90 А
• 179 нс
• 15 нс

Примітка: Маркування: G30DTP | Повний заряд затвора, нКл: 130

• On Semiconductor
• Біполярні PNP
• 120 V
• 120 V
• 5 V
• 30 A
• 200 Вт
• 4 МГц
• 200..1000

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 250 V
• 250 V
• 5 V
• 15 A
• 200 Вт
• 30 МГц
• 75..150

Примітка: Комплементарна пара: NJW0302G

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 1700 V
• 800 V
• 6 V
• 20 A
• 200 Вт
• 8.5

• Sanken
• Біполярні NPN
• 17 A
• 200 Вт
• 230 V
• 230 V
• 5 V
• 60 МГц
• 50..140

• On Semiconductor
• Біполярні PNP
• 30 A
• 200 Вт
• 90 V
• 100 V
• 4 V
• 2 МГц
• 25..100

• Ixys
• IGBT
• 650 V
• 50 A
• 20 A
• 2,5 V
• 200 Вт
• 30
• 105 А
• є
• 80 нс
• 19 нс
• 135 н

• Ixys
• IGBT
• 650 V
• 38 A
• 15 A
• 2,5 V
• 200 Вт
• 19
• 80 А
• є
• 68 нс
• SMD
• 15 нс
• 110 н

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 16 A
• 200 Вт
• 250 V
• 400 V
• 5 V
• 4 МГц
• 25..75

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 15 A
• 200 Вт
• 260 V
• 260 V
• 5 V
• 30 МГц
• 45..150