Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 8

• FENCON
• Електролітичні вивідні
• 35 мм.
• THT
• 18 мм.
• 68 мкФ
• ±20%
• 400 V
• -25...+105°C
• RL
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 31 мм.
• THT
• 16 мм.
• 47 мкФ
• ±20%
• 400 V
• -25...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 25 мм.
• THT
• 16 мм.
• 22 мкФ
• ±20%
• 450 V
• -25...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 31 мм.
• THT
• 16 мм.
• 4700 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 25 мм.
• THT
• 16 мм.
• 3300 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 16 мм.
• THT
• 10 мм.
• 470 мкФ
• ±20%
• 35 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 12 мм.
• THT
• 10 мм.
• 470 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 5 мм.
• 1 мкФ
• ±20%
• 63 V
• -40...+85°C
• SD
• Полярний

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 0.37 uC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 172ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• Не вказано
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 700

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 30 А
• 120 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 0.30us | Час виключення: 0.50us

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 235 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 148 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 260 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 29ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 24.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 20ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 75

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 153 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час виключення: 125ns

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 35 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 55 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 30ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 149 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 37ns | Час...