Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 66

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 75 А
• 520 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 310 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 39ns | Час...

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• ISOWATT218
• 800 V
• 24 А
• 30
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 1700

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 55 А
• 210 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 30ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 41 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 140 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 44ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 50 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 315 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 47 А
• 206 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220AB
• 600 V
• 16 А
• 77 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 13 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 27ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 32 А
• 140 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 31ns | Час...

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3
• 50 V
• 0,1 А
• 68
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92
• 60 V
• 0,8 А
• 1 W
• 5000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 165ns

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 450 V
• 5 А
• 25
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 2 А
• 75
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 50 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-264
• 600 V
• 160 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 345 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 75 А
• 480 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 192 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 33ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 1300 V
• 33 А
• 180 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 127 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час виключення: 284ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 40 А
• 298 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 137 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 49 А
• 160 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 63ns | Час...

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 195 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 175 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.6 | Час включення: 23ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 240 А
• 750 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 240 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 80ns | Час...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 100 А
• 330 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 140 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 60ns | Час...

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 76 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 104 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 46ns | Час...