Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 62

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 40 А
• 277 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 370 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1100 V
• 30 А
• 166 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час виключення: 470ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 305 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 223 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час виключення: 193ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 152 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 193 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 30ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 141 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 230 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 198 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 30 А
• 94 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 75 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 15 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 92 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 80 А
• 483 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 185 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 30ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 310 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 211 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час виключення: 387ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 195 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.6 | Час включення: 24ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1400 V
• 40 А
• 272 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 203.5 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1200 V
• 15 А
• 74 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1000 V
• 35 А
• 63 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 275 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 140ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 1 А
• 32
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 625 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 142 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 4.2 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• I2PAK
• 345 V
• 40 А
• 176 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 49 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.15 | Час включення: 1.1µs | Час виключення: 26.5µs

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 160 V
• 0,6 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 180

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 267 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 16ns | Час...

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 80 V
• 1 А
• 150
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-126
• 160 V
• 1,2 А
• 320
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 160 V
• 1,2 А
• 320
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 160

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 25 А
• 92,4 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 147 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5