Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 53

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 6.3 мм.
• 3.3 мкФ
• ±20%
• 160 V
• -40...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 5 мм.
• 3.3 мкФ
• ±20%
• 63 V
• -40...+85°C
• SD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 20 мм.
• THT
• 13 мм.
• 1000 мкФ
• ±20%
• 35 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 16 мм.
• THT
• 10 мм.
• 1000 мкФ
• ±20%
• 16 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11.5 мм.
• THT
• 8 мм.
• 220 мкФ
• ±20%
• 35 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11.5 мм.
• THT
• 8 мм.
• 220 мкФ
• ±20%
• 25 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 5 мм.
• 220 мкФ
• ±20%
• 10 V
• -55...+105°C
• RD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 5 мм.
• 22 мкФ
• ±20%
• 63 V
• -40...+85°C
• SD
• Полярний

• Samwha
• Електролітичні вивідні
• 11 мм.
• THT
• 5 мм.
• 10 мкФ
• ±20%
• 63 V
• -40...+85°C
• SD
• Полярний

• 11 A
• 50
• 800 V
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні

• 3 MHz
• 2.0 А
• 100 V
• 80 V
• TO-126
• THT
• Біполярні NPN

• 17 A
• 88
• 800 V
• PG-TO220
• THT
• Польові N-канальні

• 5 A
• 12
• 600 V
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні

• 2.5 A
• 500 V
• Siliconix
• TO-220AB
• THT
• Польові N-канальні

• 310 В
• JB Capacitors
• 26.5x10x19 мм.
• Поліпропілен (PP)
• 10 %
• 1 uF
• -40..+110 °С
• THT
• Плівкові
• 22 мм.

• Panasonic
• 22 мм.
• 10 мм.
• 20 %
• 2200 uF
• FS-A
• 10000 годин
• -40..+105 °С
• THT
• Електролітичні вивідні
• 5 мм.

• Panasonic
• 11.5 мм.
• 8 мм.
• 20 %
• 220 uF
• FR-A
• 6000 годин
• -40..+105 °С
• THT
• Електролітичні вивідні
• 3.5 мм.

• Однофазний
• THT

• Cdil
• 4.0 А
• 32 V
• 32 V
• TO-126
• THT
• Біполярні NPN

• Nichicon
• 35.5 мм.
• 16 мм.
• 20 %
• 2200 uF
• 1470 mA
• UVZ
• 1000 годин
• -55..+105 °С
• THT
• Електролітичні вивідні
• 1690 мА
• 7.5 мм.

• Біполярні PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 150 А
• 833 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 450 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247AA[SUPER]
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 370 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 242 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...