Електронні компоненти для електронних компонентів. Тип монтажу THT. Сторінка 11

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 48 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 61 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 19ns | Час...

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 700

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час виключення:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 30 А
• 120 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 0.30us | Час виключення: 0.50us

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 42ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 145 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 50ns | Час...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 52 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 55ns | Час виключення:...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 29ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 24.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 20ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 75

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247-long-leads
• 650 V
• 72 А
• 227 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 153 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час виключення: 125ns

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 149 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 37ns | Час...

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,15 А
• 700
• …+125°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247AC
• 1200 V
• 90 А
• 385 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 157 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 25ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-200AB
• 80 V
• 10 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1

• Біполярні PNP
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50