Операційні підсилювачі для електронних компонентів. Сторінка 39

Примітка: Виробник: TI | Корпус: DIP-8 | Vc, V: ±2,5…18 V | BW,MHz: 8 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV | Швидк.Зрост.,В/мкс: 20 V/µs | Температурний...

Примітка: Виробник: AD | Корпус: SOIC-8 | Vc, V: 2,7...6 V | BW,MHz: 3 MHz | Швидк.Зрост.,В/мкс: 5 V / s | Температурний діапазон: -40...+ 85 ° C |...

Примітка: Виробник: HG Semi | Корпус: DIP-14 | Vc, V: 3...30 V | BW,MHz: 1,3 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV | Температурний діапазон: -25...+85°C |...

Примітка: Виробник: ST | Корпус: SO-8 | Vc, V: ±16 V | BW,MHz: 1,1 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV | Температурний діапазон: -40…+105°C | К-сть...

Примітка: Корпус: DIP-14 | Vc, V: ±18 V | BW,MHz: 1 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): 1 mV | Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,5 V/µs | Температурний діапазон: 0…+70°C |...

Примітка: Виробник: Microchip | Корпус: PDIP-8 | Vc, V: 2,7...6 V | BW,MHz: 2,8 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): ±0,7 mV | Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ST | Корпус: SO-14 | Vc, V: ±18 V | BW,MHz: 3 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV | Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs | Температурний...

Примітка: Виробник: ST | Корпус: SO-8 | Vc, V: ±18 V | BW,MHz: 4 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV | Температурний діапазон: 0…+70°C | К-сть каналів: 2...

Примітка: Виробник: MCP | Корпус: SO-8 | Vc, V: 2,7-5,5 V | BW,MHz: 2,8 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): ±0,7 mV | Швидк.Зрост.,В/мкс: 2,3 V/µs |...

Примітка: Виробник: AD | Корпус: SO-8 | Vc, V: 24 V | BW,MHz: 145 MHz | Vio,mV(напр.зміщ.): 0,4 mV | Швидк.Зрост.,В/мкс: 180 V/µs | Температурний...

Примітка: Виробник: UMW | Корпус: SO-8 | Vc, V: 3…32 V | BW, MHz: 0,7 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 7 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,3 V/µs |...

Примітка: Виробник: Toshiba | Корпус: HSIP-10 | Vc, V: ±9 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 6 mV | Температурний діапазон: -30…+75°C |...

Примітка: Виробник: Toshiba | Корпус: DIP-16 | Vc, V: ±18 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 2 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,15 V/µs |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SOT-23-5 | Vc, V: 2,7...36 V | Vio, mV(напр. зміщення): ±0,2 mV | Температурний діапазон: -40…+125°C | Кількість...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SOIC-8 | Vc, V: 7...36 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 15 mV | Скор. Нар., В/мкс: 3,5 V/µs |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SOIC-8 | Vc, V: 18 V | BW, MHz: 3 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 3 mV | Температурний діапазон: 0...+70°C |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SOIC-14 | Vc, V: 3...32 V | BW, MHz: 1,2 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 5 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,5 V/µs |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SOIC-14 | Vc, V: 1,5...16 V | BW, MHz: 1,2 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 3 mV | Скор. Нар., В/мкс: 0,5 V/µs |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SO-8 | Vc, V: Dual general purpose operational amplifiers | Скор. Нар., В/мкс: 5...15V V/µs | Температурний...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SO-8 | Vc, V: 9...28 V | BW, MHz: 180 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 15 mV | Температурний діапазон: -40...+85°C |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SO-8 | Vc, V: 36 V | BW, MHz: 1,3 MHz | Температурний діапазон: -40...+85°C | Кількість каналів: 1 | Монтаж: SMD

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SO-8 | Vc, V: 2,2...5,5 V | BW, MHz: 50 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 0,2 mV | Скор. Нар., В/мкс: 25 V/µs |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SO-8 | Vc, V: ±2,5...±17 V | BW, MHz: 55 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): ±0,1 mV | Скор. Нар., В/мкс: 20 V/µs |...

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SO-8 | Vc, V: ±18 V | BW, MHz: 8 MHz | Vio, mV(напр. зміщення): 0,005 mV | Скор. Нар., В/мкс: 2,3 V/µs |...